Problems of risk management in the technosphere Problems of risk management in the technosphere Проблемы управления рисками в техносфере 1998-8990 66815 БЕЗОПАСНОСТЬ КРИТИЧЕСКИ ВАЖНЫХ И ПОТЕНЦИАЛЬНО ОПАСНЫХ ОБЪЕКТОВ SAFETY OF CRITICAL AND POTENTIALLY HAZARDOUS SITES БЕЗОПАСНОСТЬ КРИТИЧЕСКИ ВАЖНЫХ И ПОТЕНЦИАЛЬНО ОПАСНЫХ ОБЪЕКТОВ SOLID STATE LIGHTING FOR FIRE AND EXPLOSION HAZARD OBJECTS ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ ОСВЕЩЕНИЕ ПОЖАРОВЗРЫВООПАСНЫХ ОБЪЕКТОВ Карташова А П Kartashova A P Санкт-Петербургский университет ГПС МЧС России ru Saint-Petersburg university of State fire service of EMERCOM of Russia ru 25 03 2017 25 03 2017 2017 1 6 12 12 03 2017 20 03 2017 https://journals.igps.ru/en/nauka/article/66815/view

Проведена сравнительная оценка технических характеристик источников освещения пожаровзрывоопасных объектов. Полученные результаты свидетельствуют о неоспоримых преимуществах твердотельного освещения. Предложен метод описания структурных особенностей полупроводникового материала на основе мультифрактального анализа. Указана его роль для улучшения параметров излучения светодиодов, что в конечном итоге служит повышению качества и снижению цены светодиодных светильников.

Saint-Petersburg university of State fire service of EMERCOM of RussiaThe requirements for lighting fire and explosion hazard objects are presented in the paper. A comparative assessment of the technical characteristics of the light sources is considered. The advantages of solid-state lighting fire and explosion hazard objects are shown. Further improvement of the performance of lighting associated with the improvement of light-emitting structures material. For these purposes, we propose a method of multifractal analysis. The application of the method allows reduce the cost and increase the quality of lighting.

 пожаровзрывоопасные объекты твердотельное освещение мультифрактальный анализ характер организации наноматериала внешняя квантовая эффективность fire and explosion hazard objects external quantum efficiency

Технический регламент о требованиях пожарной безопасности: Федер. Закон Рос. Федерации от 22 июля 2008 г. № 123-ФЗ (принят Гос. Думой 4 июля 2008 г.; одобр. Сов. Федерации 11 июля 2008 г.) // Собр. законодательства Рос. Федерации. 2008. № 30 (Ч. I). Ст. 3 579. Tehnicheskiy reglament o trebovaniyah pozharnoy bezopasnosti: Feder. Zakon Ros. Federacii ot 22 iyulya 2008 g. № 123-FZ (prinyat Gos. Dumoy 4 iyulya 2008 g.; odobr. Sov. Federacii 11 iyulya 2008 g.) // Sobr. zakonodatel'stva Ros. Federacii. 2008. № 30 (Ch. I). St. 3 579. ППБО-85. Правила пожарной безопасности в нефтяной промышленности. URL: http://www.firenotes.ru/x_ppb/ppbo-85/ppbo-85_c.html (дата обращения: 30.05.16). PPBO-85. Pravila pozharnoy bezopasnosti v neftyanoy promyshlennosti. URL: http://www.firenotes.ru/x_ppb/ppbo-85/ppbo-85_c.html (data obrascheniya: 30.05.16). Пилипчук Р.В., Хорунжий П.М., Щиренко В.В. Освещение взрывоопасных и пожароопасных помещений // Электронный электротехнический журнал «Я электрик!». 2007. Вып. 9. С. 29. URL: http://www.electrolibrary.info/ (дата обращения: 30.05.16). Pilipchuk R.V., Horunzhiy P.M., Schirenko V.V. Osveschenie vzryvoopasnyh i pozharoopasnyh pomescheniy // Elektronnyy elektrotehnicheskiy zhurnal «Ya elektrik!». 2007. Vyp. 9. S. 29. URL: http://www.electrolibrary.info/ (data obrascheniya: 30.05.16). Degave F., Ruterana P., Nouet G. Metalorganic chemical vapor deposition growth of a GaN epilayer on an annealed GaN buffer layer // Phys.stat.sol.(c). 2002. P. 546. Degave F., Ruterana P., Nouet G. Metalorganic chemical vapor deposition growth of a GaN epilayer on an annealed GaN buffer layer // Phys.stat.sol.(c). 2002. P. 546. Lafford T.A., Parbrook P.J. Direct, independent vtasurement of twist and tilt mosaic as function of thickness in epitaxial GaN // Phys.stat.sol.(c). 2002. P. 542. Lafford T.A., Parbrook P.J. Direct, independent vtasurement of twist and tilt mosaic as function of thickness in epitaxial GaN // Phys.stat.sol.(c). 2002. P. 542. Ankudinov A.V., Besyul’kin A.N., Dunaevsky M.S., Kolmakov A.G., Lundin W.V., Shmidt N.M. Peculiarities of extended defect system in III-nitrides with different degrees of order of mosaic structure // Physica B. 2003. P. 462. Ankudinov A.V., Besyul’kin A.N., Dunaevsky M.S., Kolmakov A.G., Lundin W.V., Shmidt N.M. Peculiarities of extended defect system in III-nitrides with different degrees of order of mosaic structure // Physica B. 2003. P. 462. Karpov Sergey Yu., Makarov Yuri N. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride // Appl.Phys.Lett. 2002. P. 4 721. Karpov Sergey Yu., Makarov Yuri N. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride // Appl.Phys.Lett. 2002. P. 4 721. Li D.S., Chen H., Yu H.B. Dependence of leakage current on dislocations in GaN-based Light-emitting diodes // J. of Appl. Physics. 2004. P. 1 111. Li D.S., Chen H., Yu H.B. Dependence of leakage current on dislocations in GaN-based Light-emitting diodes // J. of Appl. Physics. 2004. P. 1 111. Встовский Г.В., Колмаков А.Г., Бунин И.Ж. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. С. 116. Vstovskiy G.V., Kolmakov A.G., Bunin I.Zh. Vvedenie v mul'tifraktal'nuyu parametrizaciyu struktur materialov. Izhevsk: NIC «Regulyarnaya i haoticheskaya dinamika», 2001. S. 116. Emtsev V.V., Kolmakov A.G., Kryzhanovsky A.D., Lundin W.V., Shmidt N.M. A new approach to analysis of mosaic structure peculiarities of gallium nitride epilayers // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2001. Emtsev V.V., Kolmakov A.G., Kryzhanovsky A.D., Lundin W.V., Shmidt N.M. A new approach to analysis of mosaic structure peculiarities of gallium nitride epilayers // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2001. Динамика излучательной и безызлучательной рекомбинации синих светодиодов / А.А. Грешнов [и др.] // Нитриды галлия, индия и алюминия-структуры и приборы: тезисы докладов IV Всерос. конф. М., 2007. С. 27. Dinamika izluchatel'noy i bezyzluchatel'noy rekombinacii sinih svetodiodov / A.A. Greshnov [i dr.] // Nitridy galliya, indiya i alyuminiya-struktury i pribory: tezisy dokladov IV Vseros. konf. M., 2007. S. 27. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов / Б.Я. Бер [и др.] // ФТП. 2011. № 3. С. 425-431. Vliyanie urovnya legirovaniya kremniem i haraktera nanostrukturnoy organizacii na padenie s tokom vneshney kvantovoy effektivnosti InGaN/GaN-svetodiodov / B.Ya. Ber [i dr.] // FTP. 2011. № 3. S. 425-431.