NATURAL AND MAN-MADE RISKS (PHYSICO-MATHEMATICAL AND APPLIED ASPECTS) NATURAL AND MAN-MADE RISKS (PHYSICO-MATHEMATICAL AND APPLIED ASPECTS) ПРИРОДНЫЕ И ТЕХНОГЕННЫЕ РИСКИ (ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ АСПЕКТЫ) 2307-7476 68617 ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ЛИКВИДАЦИИ ПОСЛЕДСТВИЙ ЧРЕЗВЫЧАЙНЫХ СИТУАЦИЙ PHYSICAL AND MATHEMATICAL ASPECTS OF EMERGENCY RESPONSE ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ЛИКВИДАЦИИ ПОСЛЕДСТВИЙ ЧРЕЗВЫЧАЙНЫХ СИТУАЦИЙ ORIGINS AND FUTURE OF SOLID STATE LIGHTING ИСТОКИ И БУДУЩЕЕ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ОСВЕЩЕНИЯ Карташова А П Kartashova A P Санкт-Петербургский университет ГПС МЧС России ru Saint-Petersburg university of State fire service of EMERCOM of Russia ru 25 12 2014 25 12 2014 2014 4 23 28 12 12 2014 20 12 2014 https://journals.igps.ru/en/nauka/article/68617/view

Приведен краткий исторический обзор работ по полупроводниковым светодиодам. Рассмотрены тенденции и перспективы развития твердотельного освещения. Указана роль описания структурных особенностей материала для улучшения параметров излучения светодиодов.

This article provides a brief historical overview of semiconductor LEDs. Examined trends and prospects for the development of solid-state lighting. A role is specified in the description of the structural characteristics of the material to improve the parameters of radiation of the LEDs.

 светодиоды твердотельное освещение мультифрактальный анализ характер организации наноматериала внешняя квантовая эффективность light-emitting diodes solid-state lighting multifractal analysis nanostructural arrangement of the material external quantum efficiency

Бахтизин Р.З. Голубые диоды // Соровский образовательный журнал. 2001. № 3. С. 75. Bahtizin R.Z. Golubye diody // Sorovskiy obrazovatel'nyy zhurnal. 2001. № 3. S. 75. Закгейм А.Л. Светодиодные системы освещения: энергоэффективность, зрительное восприятие, безопасность для здоровья (обзор) // Светотехника. 2012. № 6. С. 12-21. Zakgeym A.L. Svetodiodnye sistemy osvescheniya: energoeffektivnost', zritel'noe vospriyatie, bezopasnost' dlya zdorov'ya (obzor) // Svetotehnika. 2012. № 6. S. 12-21. Шуберт Ф. Светодиоды: пер. с англ. А.Э. Юновича. 2-е изд. М: ФИЗМАТЛИТ, 2008. Shubert F. Svetodiody: per. s angl. A.E. Yunovicha. 2-e izd. M: FIZMATLIT, 2008. Юнович А.Э. Светодиоды и их применение для освещения. М.: Знак, 2011. Yunovich A.E. Svetodiody i ih primenenie dlya osvescheniya. M.: Znak, 2011. Nakamura S., Senoh M., Iwasa N. High-power single-quantum-well structure blue and violet light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 1995. № 13. Р. 1868. Nakamura S., Senoh M., Iwasa N. High-power single-quantum-well structure blue and violet light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 1995. № 13. R. 1868. CREE LED Lighting. URL: http://www.cree.com/Lighting/Document-Library (дата обращения: 21.10.2014). CREE LED Lighting. URL: http://www.cree.com/Lighting/Document-Library (data obrascheniya: 21.10.2014). Degave F., Ruterana P., Nouet G. Metalorganic chemical vapor deposition growth of a GaN epilayer on an annealedGaN buffer layer // Phys. stat. sol.(c). 2002. P. 546. Degave F., Ruterana P., Nouet G. Metalorganic chemical vapor deposition growth of a GaN epilayer on an annealedGaN buffer layer // Phys. stat. sol.(c). 2002. P. 546. Lafford T.A., Parbrook P.J. Direct, independent vtasurement of twist and tilt mosaic as function of thickness in epitaxial GaN // Phys. stat. sol.(c). 2002. P. 542. Lafford T.A., Parbrook P.J. Direct, independent vtasurement of twist and tilt mosaic as function of thickness in epitaxial GaN // Phys. stat. sol.(c). 2002. P. 542. Peculiarities of extended defect system in III-nitrides with different degrees of order of mosaic structure / A.V. Ankudinov [et al.] // Physica B. 2003. P. 462. Peculiarities of extended defect system in III-nitrides with different degrees of order of mosaic structure / A.V. Ankudinov [et al.] // Physica B. 2003. P. 462. Karpolnek D., Keller S., Speck J.S. Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition GaN films on sapphire // Appl. Phys. Lett. 1995. № 11. Karpolnek D., Keller S., Speck J.S. Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition GaN films on sapphire // Appl. Phys. Lett. 1995. № 11. Gibar P. Metal organic vapour phase epitaxy of GaN and lateral overgrouth // Rep. Prog. Phys. 2004. Gibar P. Metal organic vapour phase epitaxy of GaN and lateral overgrouth // Rep. Prog. Phys. 2004. Karpov S.Yu., Makarov Yu.N. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride // Appl. Phys. Lett. 2002. P. 4721. Karpov S.Yu., Makarov Yu.N. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride // Appl. Phys. Lett. 2002. P. 4721. Li D.S., Chen H., Yu H.B. Dependence of leakage current on dislocations in GaN-based Light-emitting diodes // J. of Appl. Physics. 2004. P. 1111. Li D.S., Chen H., Yu H.B. Dependence of leakage current on dislocations in GaN-based Light-emitting diodes // J. of Appl. Physics. 2004. P. 1111. Встовский Г.В., Колмаков А.Г., Бунин И.Ж. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. С. 116. Vstovskiy G.V., Kolmakov A.G., Bunin I.Zh. Vvedenie v mul'tifraktal'nuyu parametrizaciyu struktur materialov. Izhevsk: NIC «Regulyarnaya i haoticheskaya dinamika», 2001. S. 116. Emtsev V.V., Kolmakov A.G., Kryzhanovsky A.D. A new approach to analysis of mosaic structure peculiarities of gallium nitride epilayers // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2001. Emtsev V.V., Kolmakov A.G., Kryzhanovsky A.D. A new approach to analysis of mosaic structure peculiarities of gallium nitride epilayers // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2001. Динамика излучательной и безызлучательной рекомбинации синих светодиодов: тезисы докладов IV-й Всерос. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы» / А.А. Грешнов [и др.]. М.: 2007. С. 27. Dinamika izluchatel'noy i bezyzluchatel'noy rekombinacii sinih svetodiodov: tezisy dokladov IV-y Vseros. konf. «Nitridy galliya, indiya i alyuminiya - struktury i pribory» / A.A. Greshnov [i dr.]. M.: 2007. S. 27. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов / Б.Я. Бер [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2011. № 3. С. 425-431. Vliyanie urovnya legirovaniya kremniem i haraktera nanostrukturnoy organizacii na padenie s tokom vneshney kvantovoy effektivnosti InGaN/GaN-svetodiodov / B.Ya. Ber [i dr.] // Fizika i tehnika poluprovodnikov. 2011. № 3. S. 425-431.