Проведена сравнительная оценка технических характеристик источников освещения пожаровзрывоопасных объектов. Полученные результаты свидетельствуют о неоспоримых преимуществах твердотельного освещения. Предложен метод описания структурных особенностей полупроводникового материала на основе мультифрактального анализа. Указана его роль для улучшения параметров излучения светодиодов, что в конечном итоге служит повышению качества и снижению цены светодиодных светильников.
пожаровзрывоопасные объекты, твердотельное освещение, мультифрактальный анализ, характер организации наноматериала, внешняя квантовая эффективность
1. Технический регламент о требованиях пожарной безопасности: Федер. Закон Рос. Федерации от 22 июля 2008 г. № 123-ФЗ (принят Гос. Думой 4 июля 2008 г.; одобр. Сов. Федерации 11 июля 2008 г.) // Собр. законодательства Рос. Федерации. 2008. № 30 (Ч. I). Ст. 3 579.
2. ППБО-85. Правила пожарной безопасности в нефтяной промышленности. URL: http://www.firenotes.ru/x_ppb/ppbo-85/ppbo-85_c.html (дата обращения: 30.05.16).
3. Пилипчук Р.В., Хорунжий П.М., Щиренко В.В. Освещение взрывоопасных и пожароопасных помещений // Электронный электротехнический журнал «Я электрик!». 2007. Вып. 9. С. 29. URL: http://www.electrolibrary.info/ (дата обращения: 30.05.16).
4. Degave F., Ruterana P., Nouet G. Metalorganic chemical vapor deposition growth of a GaN epilayer on an annealed GaN buffer layer // Phys.stat.sol.(c). 2002. P. 546.
5. Lafford T.A., Parbrook P.J. Direct, independent vtasurement of twist and tilt mosaic as function of thickness in epitaxial GaN // Phys.stat.sol.(c). 2002. P. 542.
6. Ankudinov A.V., Besyul’kin A.N., Dunaevsky M.S., Kolmakov A.G., Lundin W.V., Shmidt N.M. Peculiarities of extended defect system in III-nitrides with different degrees of order of mosaic structure // Physica B. 2003. P. 462.
7. Karpov Sergey Yu., Makarov Yuri N. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride // Appl.Phys.Lett. 2002. P. 4 721.
8. Li D.S., Chen H., Yu H.B. Dependence of leakage current on dislocations in GaN-based Light-emitting diodes // J. of Appl. Physics. 2004. P. 1 111.
9. Встовский Г.В., Колмаков А.Г., Бунин И.Ж. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. С. 116.
10. Emtsev V.V., Kolmakov A.G., Kryzhanovsky A.D., Lundin W.V., Shmidt N.M. A new approach to analysis of mosaic structure peculiarities of gallium nitride epilayers // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2001.
11. Динамика излучательной и безызлучательной рекомбинации синих светодиодов / А.А. Грешнов [и др.] // Нитриды галлия, индия и алюминия-структуры и приборы: тезисы докладов IV Всерос. конф. М., 2007. С. 27.
12. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов / Б.Я. Бер [и др.] // ФТП. 2011. № 3. С. 425-431.
