Приведен краткий исторический обзор работ по полупроводниковым светодиодам. Рассмотрены тенденции и перспективы развития твердотельного освещения. Указана роль описания структурных особенностей материала для улучшения параметров излучения светодиодов.
светодиоды, твердотельное освещение, мультифрактальный анализ, характер организации наноматериала, внешняя квантовая эффективность
1. Бахтизин Р.З. Голубые диоды // Соровский образовательный журнал. 2001. № 3. С. 75.
2. Закгейм А.Л. Светодиодные системы освещения: энергоэффективность, зрительное восприятие, безопасность для здоровья (обзор) // Светотехника. 2012. № 6. С. 12-21.
3. Шуберт Ф. Светодиоды: пер. с англ. А.Э. Юновича. 2-е изд. М: ФИЗМАТЛИТ, 2008.
4. Юнович А.Э. Светодиоды и их применение для освещения. М.: Знак, 2011.
5. Nakamura S., Senoh M., Iwasa N. High-power single-quantum-well structure blue and violet light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 1995. № 13. Р. 1868.
6. CREE LED Lighting. URL: http://www.cree.com/Lighting/Document-Library (дата обращения: 21.10.2014).
7. Degave F., Ruterana P., Nouet G. Metalorganic chemical vapor deposition growth of a GaN epilayer on an annealedGaN buffer layer // Phys. stat. sol.(c). 2002. P. 546.
8. Lafford T.A., Parbrook P.J. Direct, independent vtasurement of twist and tilt mosaic as function of thickness in epitaxial GaN // Phys. stat. sol.(c). 2002. P. 542.
9. Peculiarities of extended defect system in III-nitrides with different degrees of order of mosaic structure / A.V. Ankudinov [et al.] // Physica B. 2003. P. 462.
10. Karpolnek D., Keller S., Speck J.S. Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition GaN films on sapphire // Appl. Phys. Lett. 1995. № 11.
11. Gibar P. Metal organic vapour phase epitaxy of GaN and lateral overgrouth // Rep. Prog. Phys. 2004.
12. Karpov S.Yu., Makarov Yu.N. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride // Appl. Phys. Lett. 2002. P. 4721.
13. Li D.S., Chen H., Yu H.B. Dependence of leakage current on dislocations in GaN-based Light-emitting diodes // J. of Appl. Physics. 2004. P. 1111.
14. Встовский Г.В., Колмаков А.Г., Бунин И.Ж. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. С. 116.
15. Emtsev V.V., Kolmakov A.G., Kryzhanovsky A.D. A new approach to analysis of mosaic structure peculiarities of gallium nitride epilayers // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2001.
16. Динамика излучательной и безызлучательной рекомбинации синих светодиодов: тезисы докладов IV-й Всерос. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы» / А.А. Грешнов [и др.]. М.: 2007. С. 27.
17. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов / Б.Я. Бер [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2011. № 3. С. 425-431.
